qorvo uj3d1220ksd sic dual schottkydiode Produktrangliste 2024

QORVO UJ3D1220KSD SiC Dual Schottkydiode

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1220KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 17.65 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Gen-III 2x10A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

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QORVO UJ3C120040K3S SiC Kaskode FET

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3C120040K3S SiC Kaskode FET, das für 36.8 € verkauft wird und in der Kategorie TV-Zubehör erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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QORVO UJ3D06560KSD SiC Dual Schottkydiode

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D06560KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 24.1 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Gen-III 2x30A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

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QORVO UJ3D1210KSD SiC Dual Schottkydiode

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1210KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 16.75 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Gen-III 2x5A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

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QORVO UJ3D1250K SiC Schottkydiode 1200V

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1250K SiC Schottkydiode 1200V, das für 32.9 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Gen-III 50A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

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Infineon IDW40G120C5B

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Infineon IDW40G120C5B, das für 22.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Infineon und wird von Reichelt.de verkauft.

CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 - Anode 1 • Pin 2 und Rückseite - Kathode• Pin 3 - Anode 2

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Infineon IDW15G120C5B

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Infineon IDW15G120C5B, das für 16.35 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Infineon und wird von Reichelt.de verkauft.

CoolSiCTM SiC Schottky DiodeMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• kein Rückwärts-Rückgewinnungsstrom / keine Vorwärts-Rückgewinnung• positiver Temperaturkoeffizient• niedrige Durchlassspannung auch bei hohen Betriebstemperaturen• hervorragende Wärmeleitung• erweiterte Stoßstromfähigkeit• spezifizierte dv/dt Robustheit• qualifiziert nach JEDEC• bleifreie Verbleiung; RoHS-konformVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• Systemgröße / Kosteneinsparungen durch reduzierten Kühlkörperbedarf und kleinere Magnetfelder• reduzierte EMI• höchster Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich• robuster Diodenbetrieb bei Überspannungsereignissen• hohe Zuverlässigkeit• Weiterführende Links: www.infineon.com/sicAnwendungen• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Motorantriebe• LeistungsfaktorkorrekturPaket-Pin-Definitionen• Pin 1 - Anode 1 • Pin 2 und Rückseite - Kathode• Pin 3 - Anode 2

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Infineon IDW24G65C5B SiC Dual Schottkydiode

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Infineon IDW24G65C5B SiC Dual Schottkydiode, das für 16.15 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Infineon und wird von Reichelt.de verkauft.

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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WOLFSPEED C4D20120D SiC Dual Schottkydiode

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu WOLFSPEED C4D20120D SiC Dual Schottkydiode, das für 22.45 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von WOLFSPEED hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Merkmale• 1,2kV Schottky Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Hochfrequenzbetrieb• temperaturunabhängiges Schalten• positiver Temperaturkoeffizient auf VFVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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WOLFSPEED C4D30120D SiC Dual Schottkydiode

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu WOLFSPEED C4D30120D SiC Dual Schottkydiode, das für 25.35 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von WOLFSPEED hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

Merkmale• 1,2kV Schottky Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Hochfrequenzbetrieb• temperaturunabhängiges Schalten• extrem schnelles UmschaltenVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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WOLFSPEED C4D15120D SiC Dual Schottkydiode

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu WOLFSPEED C4D15120D SiC Dual Schottkydiode, das für 17.55 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu WOLFSPEED und wird von Reichelt.de verkauft.

Merkmale• 1,2kV Schottky Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Hochfrequenzbetrieb• temperaturunabhängiges Schalten• positiver Temperaturkoeffizient auf VFVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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WOLFSPEED C4D40120D SiC Dual Schottkydiode

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für WOLFSPEED C4D40120D SiC Dual Schottkydiode, zum Preis von 34.9 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von WOLFSPEED hergestellt.

Merkmale• 1,2kV Schottky Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Hochfrequenzbetrieb• temperaturunabhängiges Schalten• extrem schnelles UmschaltenVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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WOLFSPEED C3D25170H SiC Schottkydiode

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für WOLFSPEED C3D25170H SiC Schottkydiode, das für 60.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von WOLFSPEED hergestellt.

Merkmale• 1700-Volt Schottky-Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Null-Wiederherstellungsspannung• Hochfrequenzbetrieb• positiver Temperaturkoeffizient• extrem schnelles Umschalten• halogenfrei; RoHS-konformVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische Ausreißer

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WOLFSPEED C4D20120A SiC Schottkydiode

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für WOLFSPEED C4D20120A SiC Schottkydiode, das für 17.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von WOLFSPEED hergestellt.

Merkmale• 1,2kV Schottky Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Hochfrequenzbetrieb• temperaturunabhängiges Schalten• extrem schnelles Umschalten• positiver Temperaturkoeffizient auf VFVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler

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ROHM SCS220AGC SiC Schottkydiode 650V

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu ROHM SCS220AGC SiC Schottkydiode 650V, das für 16.25 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu ROHM und wird von Reichelt.de verkauft.

Merkmale• kürzere Erholungszeit• reduzierte Temperaturabhängigkeit• Hochgeschwindigkeitsschaltung möglichAnwendungen• PFC Verstärkertopologie• Data Zentrum• PV Power Conditioner

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QORVO UJ3C065080T3S SiC Kaskode FET

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C065080T3S SiC Kaskode FET, zum Preis von 16.65 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.

650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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QORVO UJ3C065030T3S SiC Kaskode FET

Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3C065030T3S SiC Kaskode FET, das für 29.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.

650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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QORVO UJ3C065030K3S SiC Kaskode FET

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C065030K3S SiC Kaskode FET, das für 28.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.

650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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QORVO UF3C065030K3S SiC Kaskode FET

Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3C065030K3S SiC Kaskode FET, das für 42.25 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.

650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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QORVO UF3C065040K3S SiC Kaskode FET

Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UF3C065040K3S SiC Kaskode FET, das für 25.75 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.

650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

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