Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3SC065030B7S SiC Kaskode FET, das für 24.15 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Alkoholische Getränke gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
SiC-Kaskode-FET, 650V, 47A, Rdson 0,042R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 42mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L-Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3C120080K3S SiC Kaskode FET, das für 26.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3SC120040B7S SiC Kaskode FET, das für 32.9 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Alkoholische Getränke gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
SiC-Kaskode-FET, 1200V, 47A, Rdson 0,035R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 35mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UF3C120080B7S SiC Kaskode FET, zum Preis von 16.24 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3C120040K3S SiC Kaskode FET, das für 39.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C065080T3S SiC Kaskode FET, das für 16.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C065030K3S SiC Kaskode FET, zum Preis von 28.65 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UF3C065040K3S SiC Kaskode FET, zum Preis von 25.75 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3C120040K3S SiC Kaskode FET, das für 39.45 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
1200V SiC-MOSFET-Casecode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UF3C065030K3S SiC Kaskode FET, das für 42.25 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3C065030B3 SiC Kaskode FET, das für 34.75 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3C065080B3S SiC Kaskode FET, das für 17.7 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C065030B3S SiC Kaskode FET, das für 20.04 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mUJ3C065030B3S D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mUJ3C065030B3S- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3C065040B3 SiC Kaskode FET, das für 20.82 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
650V SiC-MOSFET-Casecode 42mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UF3C120040K4S SiC Kaskode FET, zum Preis von 38.9 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UF3C065030K4S SiC Kaskode FET, das für 25.65 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UF3C065040K4S SiC Kaskode FET, das für 27.85 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.
650V SiC-MOSFET-Kaskode 42mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1250K SiC Schottkydiode 1200V, das für 32.9 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
Gen-III 50A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3D06560KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 24.1 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.
Gen-III 2x30A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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