Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Ersatzteil Transistor G20n50c E3 500v, das für 12.74 € verkauft wird und in der Kategorie DJ-Ausstattung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Ersatzteil und wird von Ltt-versand.de verkauft.
Transistor G20N50C-E3 500V/20A TO247
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Ersatzteil Transistor Sjb7150 250v 15a, das für 11.13 € verkauft wird und in der Kategorie DJ-Ausstattung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Ltt-versand.de verkauft und von Ersatzteil hergestellt.
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Ersatzteil Transistor Sjb6150 250v 15a, das für 11.13 € verkauft wird und in der Kategorie DJ-Ausstattung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Ersatzteil und wird von Ltt-versand.de verkauft.
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Ersatzteil Transistor Aok75b60d1 600v 150a, das für 20.67 € verkauft wird und in der Kategorie DJ-Ausstattung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Ltt-versand.de verkauft und von Ersatzteil hergestellt.
Transistor AOK75B60D1 600V/150A TO247
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Ersatzteil Transistor Irgp4063dpbf 600v 96a, zum Preis von 25.53 € : es gehört zur Kategorie DJ-Ausstattung; dieses Produkt wird von Ltt-versand.de verkauft und von Ersatzteil hergestellt.
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu Ersatzteil Transistor Ikw40n120h3 40a 1200v, das für 43.23 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie DJ-Ausstattung gelistet, wird von Ersatzteil hergestellt und von Ltt-versand.de verkauft.
Transistor IKW40N120H3 40A 1200V TO-247
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Ersatzteil Transistor Ixgr48n60c3d1 600v 48a, zum Preis von 31.47 € : es gehört zur Kategorie DJ-Ausstattung; dieses Produkt wird von Ltt-versand.de verkauft und von Ersatzteil hergestellt.
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EAN: 4026397700466
Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu OEM IGBT Transistor 600V 75A, das für 24.49 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu Oem und wird von Manomano.de verkauft.
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für ON Semiconductor Fgh40t65shd f155 Igbt, das für 19.16 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von ON Semiconductor hergestellt.
Transistor FGH40T65SHD-F-155 TO247 Hersteller ON Halbleiter IGBT-Transistor RoHS TO-247-Kapsel Spannung 650V Stromstärke 40A
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Infineon IKW40N120H3 IGBT Transistor, das für 17.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von Infineon hergestellt.
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu STARPOWER DG120X07T2 IGBT Transistor, das für 17.25 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu StarPower und wird von Reichelt.de verkauft.
DG120X07T2, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu STARPOWER DG100X07T2 IGBT Transistor, das für 16.05 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu StarPower und wird von Reichelt.de verkauft.
DG100X07T2, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für MICROCHIP MSC080SMA330B4 SiC MOSFET N, das für 142.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von Microchip hergestellt.
MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFETBeschreibungDie Siliziumkarbid (SiC) Power-MOSFET-Produktlinie von Microsemi bietet eine höhere Leistung als Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. The MSC080SMA330B4 device is a 3300 V, 80 mO SiC MOSFET in a TO-247-4L package with a source sense.Merkmale:• Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung• Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des niedrigen Gate-Innenwiderstands (ESR)• Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = 150 °C• Schnelle und zuverlässige Body-Diode• Hervorragende Avalanche-Robustheit• RoHS-konformVorteile:• Hoher Wirkungsgrad für ein leichteres, kompakteres System• Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung• Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste• Keine externe Freilaufdiode mehr erforderlich• Geringere Betriebskosten für das SystemAnwendungen:• PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe• Intelligente Netzübertragung und -verteilung• Induktionserwärmung und Schweißen• H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegeräte• Energieversorgung und -verteilung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu Udo Di Fabio Made in, das für 74 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Bücher & Zeitschriften gelistet, wird von Udo Di Fabio - hergestellt und von MEDIMOPS verkauft.
Brand : Mohr Siebeck GmbH & Co. K, Binding : Taschenbuch, Edition : 1, Label : Mohr Siebeck, Publisher : Mohr Siebeck, medium : Taschenbuch, numberOfPages : 247, publicationDate : 2022-02-01, publishers : Udo Di Fabio, Julian Dörr, Olaf Kowalski, ISBN : 3161611373
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EAN: 9783161611377
Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3C120080K3S SiC Kaskode FET, zum Preis von 26.65 € : es gehört zur Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1250K SiC Schottkydiode 1200V, das für 32.9 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
Gen-III 50A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3C120040K3S SiC Kaskode FET, das für 36.8 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu QORVO UJ3D06560KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 24.1 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu QORVO und wird von Reichelt.de verkauft.
Gen-III 2x30A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu QORVO UJ3D1210KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 16.75 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von QORVO hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
Gen-III 2x5A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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Lieferzeit: 1-2 Werktage
Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für QORVO UJ3D1220KSD SiC Dual Schottkydiode, das für 17.65 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von QORVO hergestellt.
Gen-III 2x10A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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