Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu St Microelectronics N MosFet Transistor, das für 19.01 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Heimautomatisierung gelistet, wird von ST MICROELECTRONICS hergestellt und von Manomano.de verkauft.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor N-MOSFET Source-Drain-Spannung 600V Ableitstrom 14,5A Verlustleistung 190W TO247-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±25V Übergangszustand Widerstand 130mΩ
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für St Microelectronics IGBT Transistor 600V, zum Preis von 18.54 € : es gehört zur Kategorie Heimautomatisierung; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von ST MICROELECTRONICS hergestellt.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 250W TO247-3 T-Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom bei Impuls 220A Gate-Last 126nC
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Infineon Transistor IRGP4068DPBF igbt 600V, das für 22.61 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von Infineon hergestellt.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 96A Verlustleistung 330W TO247-3 Gehäuse
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu On Semiconductor HGT30N60A4 IGBT Transistor, das für 18.59 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu ON Semiconductor und wird von Manomano.de verkauft.
Transistor 4557-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 463W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 240A Torlast 360nC
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu ON Semiconductor Fgh40t65shd f155 Igbt, das für 19.16 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu ON Semiconductor und wird von Manomano.de verkauft.
Transistor FGH40T65SHD-F-155 TO247 Hersteller ON Halbleiter IGBT-Transistor RoHS TO-247-Kapsel Spannung 650V Stromstärke 40A
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für On Semiconductor IGBT Transistor 600V, zum Preis von 21.88 € : es gehört zur Kategorie Heimautomatisierung; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von ON Semiconductor hergestellt.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 180A
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für On Semiconductor IGBT Transistor 600V, zum Preis von 18.48 € : es gehört zur Kategorie Heimautomatisierung; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von ON Semiconductor hergestellt.
50443-DI Transistor Kollektorstrom 80A Kollektor-Transmitter-Sättigungsspannung 1,8V Verlustleistung 290W Kollektor zu Emitter Spannung 600V TO247AB-Gehäuse Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur 150°C
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Infineon N MosFet Transistor 280W, zum Preis von 25.62 € : es gehört zur Kategorie Heimautomatisierung; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von Infineon hergestellt.
Transistor 26757-DI TO247-3 Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET-Transistortyp CoolMOS™ Technologie Drain-Source-Spannung 800V Ableitstrom 11A Abgeleitete Leistung 227W Gehäuse PG-TO247-3 Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 0,29Ω
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu OEM IGBT Transistor 600V 75A, das für 24.49 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Heimautomatisierung gelistet, wird von Oem hergestellt und von Manomano.de verkauft.
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Vishay N Mosfet Transistor 500V, das für 18.18 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von Vishay hergestellt.
Transistor 51321-DI Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistor Drain-Source-Spannung 500V Ableitstrom 20A Verlustleistung 460W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 160mΩ
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu Ixys IXGR40N60C2D1 IGBT Transistor 600V, das für 18.75 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu IXYS und wird von Manomano.de verkauft.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS IGBT-Transistor ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,7V Gate-Emitter-Spannung max. 20V Minimale Betriebstemperatur -55ºC Maximale Betriebstemperatur 150ºC Kollektor-Dauerstrom Max. 56A
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu Infineon IGBT Transistor 600V 50A, das für 18.39 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Heimautomatisierung gelistet, wird von Infineon hergestellt und von Manomano.de verkauft.
TECHNISCHE DATEN: Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter Spannung: 600V Kollektorstrom: 50Amp Leistung: 333W Emitter-Eingangsspannung: ±20V Montage: THT Axial Gehäuse: TO247-3
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Finde Tipps, Bewertungen und Funktionen zu On Semiconductor gbt 600V 70A, das für 18.3 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt gehört zu ON Semiconductor und wird von Manomano.de verkauft.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 190W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 280A Gate-Last 210nC
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Infineon IGBT Transistor 600V 55A, das für 19.02 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von Infineon hergestellt.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 27A Verlustleistung 200W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 220A
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für Infineon IKW40N120H3 IGBT Transistor, das für 17.9 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von Infineon hergestellt.
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu Vishay N MosFet Transistor 500V, das für 20.43 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Heimautomatisierung gelistet, wird von Vishay hergestellt und von Manomano.de verkauft.
TECHNISCHE DATEN: Hersteller VISHAY Transistor N-MOSFET Versorgung-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 23A Verlustleistung 446W SUPER247-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Gate-Last 180nC
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für OEM IXGR32N60CD1 IGBT Transistor 600V, das für 19.03 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von Oem hergestellt.
Transistor 16668-DI Hersteller: IXYS IGBT-Transistoren ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max.: 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 150 C Kollektordauerstrom Ic Max.: 45 A Kollektor-Dauerstrom: 14 A IGBT-Transistoren
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für IXYS IXGR48N60C3D1 IGBT Transistor 600V, das für 24.79 € verkauft wird und in der Kategorie Heimautomatisierung erhältlich ist; dieses Produkt wird von Manomano.de verkauft und von IXYS hergestellt.
Transistor 26250-DI Hersteller IXYS IGBT-Transistortyp Speziell für Glaskeramik-Kochfelder Technologie GenX3™, PT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 26A Verlustleistung 125W ISOPLUS247™-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 230A Gate-Last 77nC Einschaltdauer 45ns Ausschaltzeit 187ns
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Entdecke Informationen, Ratschläge und Preise für STARPOWER DG100X07T2 IGBT Transistor, das für 16.05 € verkauft wird und in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten erhältlich ist; dieses Produkt wird von Reichelt.de verkauft und von StarPower hergestellt.
DG100X07T2, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Erhalte Tipps, Meinungen und Funktionen zu STARPOWER DG120X07T2 IGBT Transistor, das für 17.25 € erhältlich ist; dieses Produkt ist in der Kategorie Elektronik und elektronische Komponenten gelistet, wird von StarPower hergestellt und von Reichelt.de verkauft.
DG120X07T2, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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